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Exibindo: Página 114 de 11.561

Questão: 566 / QT-3061

Ano: 2024

Banca: FGV

Órgão: INPE

Cargo: Tecnologista Júnior I - Engenharia de Sistemas de Satélites - Arquitetura Elétrica

Disciplina: Eletrônica

Transistores Bipolares de Junção (TBJ) são componentes versáteis que podem ser utilizados em uma grande gama de aplicações. Sobre as configurações de amplificadores de estágio simples utilizando TBJ, analise as afirmativas a seguir.

I. Na configuração emissor comum, o ganho de tensão é negativo, indicando que há atenuação do nível de tensão do sinal de entrada.
II. Na configuração base comum, a resistência de entrada é baixa, o que limita a gama de aplicações em que essa configuração é utilizada.
III. Na configuração coletor comum, é possível obter grandes ganhos de tensão, essa característica contribui para que essa configuração seja utilizada como estágio de saída de amplificadores de múltiplos estágios.

Está correto o que se afirma em

A -

I, apenas.

B -

II, apenas.

C -

III, apenas.

D -

I e II, apenas.

E -

I e III, apenas.

Questão: 567 / QT-3062

Ano: 2024

Banca: FGV

Órgão: INPE

Cargo: Tecnologista Júnior I - Engenharia de Sistemas de Satélites - Arquitetura Elétrica

Disciplina: Eletrônica

Um conversor CC-CC do tipo boost, com apenas um estágio de conversão, utilizando frequência de chaveamento de 25kHz alimenta uma carga com tensão média de 15 Volts e corrente média de 0,7 Ampéres. Por critérios de projeto é desejado que o ciclo de trabalho (duty cycle) do conversor seja limitado entre 0,2 e 0,5 e que a corrente média em regime permanente da fonte seja limitada a, no máximo, 1A.
Desconsiderando as perdas, os valores mínimo e máximo da faixa de tensão, em Volts, que a fonte que alimenta o conversor pode assumir de forma que os critérios estabelecidos sejam respeitados, são

A -

5 e 7,5.

B -

7,5 e 10.

C -

7,5 e 12.

D -

10,5 e 12.

E -

10,5 e 15.

Questão: 568 / QT-3063

Ano: 2024

Banca: FGV

Órgão: INPE

Cargo: Tecnologista Júnior I - Engenharia de Sistemas de Satélites - Arquitetura Elétrica

Disciplina: Eletrônica

Considere o circuito abaixo:
Imagem associada para resolução da questão

Sabe-se que o transistor utilizado possui as seguintes especificações:
• V_BE = 0,7 V;
• ß = 100; e
• V_CEsat= 0,3 V.

A corrente que flui pelo emissor do TBJ em miliampéres (mA) é aproximadamente igual a

A -

B -

11,7.

C -

12,7.

D -

100.

E -

101.

Questão: 569 / QT-3064

Ano: 2024

Banca: FGV

Órgão: INPE

Cargo: Tecnologista Júnior I - Engenharia de Sistemas de Satélites - Arquitetura Elétrica

Disciplina: Eletrônica

Considere o circuito abaixo, que utiliza um transistor NMOS do tipo enriquecimento.
Imagem associada para resolução da questão

Sabe-se que o transistor utilizado possui as seguintes especificações:
• V_T = 1 V;
•k'_n (W/L)= 1 mA/V²; e
• ? = 0 (despreze a modulação do comprimento do canal).

A corrente que flui pelo dreno do MOSFET em miliampéres (mA) é aproximadamente igual a

A -

B -

0,24.

C -

0,32.

D -

2,4.

E -

3,2.

Questão: 570 / QT-3065

Ano: 2024

Banca: FGV

Órgão: INPE

Cargo: Tecnologista Júnior I - Engenharia de Sistemas de Satélites - Arquitetura Elétrica

Disciplina: Eletrônica

A frequência de chaveamento é um parâmetro importante no projeto de conversores CC-CC.
Sobre a frequência de chaveamento em conversores CC-CC analise as afirmativas a seguir.

I. Ao aumentar a frequência de chaveamento é possível reduzir os valores e, consequentemente, o tamanho dos capacitores e indutores utilizados nos conversores CC-CC.
II. Ao reduzir a frequência de chaveamento aumentam-se as perdas decorrentes do chaveamento nas chaves digitais (TBJ, MOSFET, ...).
III. Conversores CC-CC que utilizam transistores como elementos de chaveamento usam, tipicamente, frequências de chaveamento de 1 GHz a 5 GHz.

Está correto o que se afirma em

A -

I, apenas.

B -

II, apenas.

C -

III, apenas.

D -

I e III, apenas.

E -

I, II e III.

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